外延片作为一种半导体工艺品应用非常的广，它目前运用于多个领域，如果大家想要了解外延片检测的相关内容可以找微谱，微谱具有专业的检测仪器和团队，运用专业的检测方法进行外延片检测。为了让大家更加了解外延片检测，今天我带大家一起来学习一些外延片检测的检测内容。如果大家对这个有兴趣的话可以向我寻找帮助，我会解决大家的疑问。

外延片检测项目

表面质量检测，反射率检测，光谱分析，峰值波长检测，波长均匀性检测，表面形貌分析，厚度检测，翘曲度检测，表面粗糙度检测等。

外延片检测范围

LED外延片，硅外延片，芯片外延片，氮化镓外延片，半导体外延片，砷化镓外延片，晶圆外延片，激光外延片等。

外延片检测标准

1、SJ 3242-1989 砷化镓外延片

2、GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片

3、GB/T 14139-2009 硅外延片

4、GB/T 14015-1992 硅-兰宝石外延片

5、GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

6、SJ/T 11470-2014 发光二极管外延片

外延片检测方法

1.表面缺陷(光学表面缺陷分析仪)

原理：SiC外延片的表面缺陷主要包括三角型、胡萝卜型缺陷、微管等，一般常用光学表面缺陷扫描仪来检测，其采用激光扫描样品表面，在缺陷部位信噪比增强，通过结合亮场，暗场，偏光和微分等通道，可以对各类缺陷进行统计分析。

2.掺杂浓度（汞探针CV测试仪）

原理：汞探针CV测试仪是利用肖特基势垒电容C-V特性来测试掺杂浓度的测试方法。汞探针和N型碳化硅外延层接触时，在N型碳化硅外延层一侧形成势垒。在汞金属和碳化硅外延层之间加一直流反向偏压时，肖特基势垒宽度向外延层中扩展。如果在直流偏压上叠加一个高频小信号电压，其势垒电容随外加电压的变化而变化可起到电容的作用。通过电容-电压变化关系，即可找到金属-半导体肖特基势垒在外延层一侧的掺杂浓度分布。

3.外延层膜厚 (傅里叶红外光谱，FT-IR)

原理：对于掺杂的SiC外延片，红外光谱测量膜厚为通用的行业标准。碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反映外延层厚度信息的连续干涉条纹。当外延层表面反射的光束和衬底界面反射的光束的光程差是半波长的整数倍时，反射光谱中可以观察到极大极小值。根据反射谱中干涉条纹的极值峰位，试样的光学常数以及入射角可以计算出相应的外延层厚度。

外延片检测作为一种常规的检测，它使用的方法非常的多，主要是根据实际情况来选择对应的检测方法。上面我介绍了外延片检测的范围，项目、标准、方法，大家有需要可以去认真了解一下，欢迎留言或者拨打400-700-8005，我们会安排专业工程师与您详细沟通哦。